LCD 高端铬掩膜、OLED/Micro OLED 光掩膜、半导体铬版、光刻掩膜返工除铬（石英基板）材料硝酸铈铵，山东德盛硝酸铈铵工厂
二、两套高端量产配方
1.LCD高端掩膜:CAN+稀硝酸体系(通用)CAN:100~200 g/L，硝酸2~5 wt%,余量UPW特点:稳定性更好，维护简单，大面积掩膜片内均匀性优
2.Micro OLED/超高精度掩膜:CAN+高氯酸体系CAN:150~200 g/L，高氯酸1~3 wt%
特点:侧壁更陡直，Undercut 侧蚀<0.1um，线宽CD控制精度更高，适合0.5~2um精细像素图形;对槽液管控要求更高
三、核心优势(高端掩膜看重)
1.超高选择性:仅蚀刻Cr/CrOx，石英基板、光刻胶几乎零腐蚀，不会损伤掩膜基底、不会造成光刻胶起翘溶胀，正负光刻胶都兼容
2.侧壁轮廓优异:侧蚀小、边缘锐利无毛刺，CD线宽可控，大面积版材片内蚀刻均匀性好
3.无氯离子:规避CI残留带来的器件漏电、针孔、腐蚀隐患(OLED硬性要求)
4.可视化质控:新配液橙红色(Ce4)，随消耗逐步变黄，可直观预判药液活性，配合滴定做定量管控
5.可补料延长槽寿命:在线监测Ce4、游离酸度、Cr3*，按需补加CAN与酸，降低换槽成本
四、工艺管控要点(高端无尘车间)
1.蚀刻方式:喷淋蚀刻优先;浸泡仅小批量打样，禁止剧烈曝气(空气加速Ce”分解)
2.温度:22~28°C，±0.5°C恒温，严禁>30°C
3.全程遮光:储桶、蚀刻槽、管路黑色避光;Ce"光解是高端产线药液漂移主要根源
4.过滤:循环管路持续0.2um精密过滤，控制颗粒缺陷
5.终点判定:Cr3*累积至8~12g/L、蚀刻速率波动>±10%、溶液浑浊，整槽更换，单纯补料无法恢复良率